RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
36
Rund um 42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
21
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
10.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3130
2247
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link