RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gesamtnote
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
33
Rund um 36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
21
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
9.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3130
2590
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link