RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
72
Rund um 60% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
8.0
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3614
1593
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link