RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
24
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
29
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
24.0
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
16.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
4156
3911
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link