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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
24
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
15.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
29
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
24.0
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
15.0
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
4156
3395
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
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