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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
37
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
24
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
24.0
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
12.6
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
4156
3100
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
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