RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR5
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
13.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3671
2989
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link