RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR5
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
15.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3867
3519
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link