RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
52
Rund um 50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR5
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
7.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3867
2306
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link