RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
31
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR5
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
9.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3867
2361
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5471-049.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 99U5471-049.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link