RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
15.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
49
Rund um -145% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
15.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
3652
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link