RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
49
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2018
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link