RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
49
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
11.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2569
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1NS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Crucial Technology CT8G3S186DM.C16FN 8GB
Crucial Technology CT8G3S160BM.C16FED 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link