RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
49
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
19.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
16.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
3804
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link