RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
49
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
16.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
3849
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link