RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
49
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
9.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2427
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston 9905403-559.A00LF 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link