RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
21.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
49
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
21.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
14.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
3437
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link