RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
49
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
15.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
3482
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link