RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
49
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
6400
Rund um 3.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
13.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
23400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
3310
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Mushkin 994083 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link