RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
49
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
11.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2824
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link