RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
49
Rund um -104% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
11.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2370
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link