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Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Vergleichen Sie
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Gesamtnote
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,001.7
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
45
Rund um -73% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,776.5
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,001.7
14.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
669
3055
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PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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