RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Vergleichen Sie
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Gesamtnote
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,001.7
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
45
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,776.5
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,001.7
10.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
669
2837
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link