RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
62
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2190
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link