RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
62
81
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
81
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
7.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
1634
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link