RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
62
Rund um -170% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
3025
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link