RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
62
Rund um -121% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
15.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
3601
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905316-005.A04LF 1GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link