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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
62
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
12.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
3178
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB RAM-Vergleiche
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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