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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
62
Rund um -121% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
13.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2929
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
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