RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
62
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
10.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2600
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link