RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
62
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
12.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
3164
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link