RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
62
Rund um -226% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.5
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
17.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
3499
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link