RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
62
67
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
67
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
8.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2030
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link