RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
62
Rund um -72% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2711
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link