RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
62
Rund um -88% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
8.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2286
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link