RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
62
Rund um -72% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
9.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
1778
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link