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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
62
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
11.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
9.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2532
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
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