RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
62
Rund um -226% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
15.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
3314
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link