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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
58
62
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
9.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
1998
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
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