RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
62
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
13.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2717
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kllisre 0000 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link