RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
62
Rund um -158% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2904
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link