RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
65
Rund um 58% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.7
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
1921
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link