RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
30
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.4
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
2479
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link