RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
39
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.7
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
2651
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link