RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
32
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.7
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
2999
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link