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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
83
Rund um 67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
83
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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