RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
77
Rund um 65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
77
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
5.5
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
1440
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link