RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
36
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.6
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
2504
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link