RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
45
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
1900
Rund um 11.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.4
Speicherbandbreite, mbps
21300
1900
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
2387
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link