RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
56
Rund um 52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.7
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
2200
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link